我们公司的MBE-8可以成长三寸以下的样品，样品温度可以加到900摄氏度，如果是两寸以下的样品可以到1100摄氏度。可以装置8个束源炉，最大容量40cc。配备晶振、束流监控器、高能电子枪以及监控软件。可以装置固体源、气体源/ ALD阀、等离子增强型束源炉（plasma cell)及我们特制的电子回旋共振束源炉(ECR plasma cell)。可装电子枪E-beam。

       我们的腔体是用SUS316不锈钢制作，真空可到2×10-10torr，使用泵有浦发700分子泵与冷泵。内部有全罩式液态氮冷罩，可提供非常大的抽气效率。我们的设备在长二维材料以及拓扑材料、氧化物方面都有不错的性能。如：III-V 族, II-VI 族, Si/SiGe ,金属与金属氧化物（因为我们有独步全球的激光加热器，可到2英寸），以及GaN, AlN, AlGaN, InGaN, AlGaInN,CIGS，OLED 等。